플라즈마 cvd 장치

Plasma cvd apparatus

Abstract

본 발명은, 진공 챔버(4)와, 이 진공 챔버(4) 내에 배치되는 동시에 성막 대상인 기재(W)가 권취되는 한 쌍의 성막 롤(2, 2)과, 성막 롤(2)의 표면에 플라즈마를 생성시키는 자장을 발생시킴으로써, 당해 성막 롤(2)에 권취된 기재(W) 상에 피막이 형성되는 성막 에어리어를 형성하는 자장 생성부(8, 15)를 구비하고, 한 쌍의 성막 롤(2, 2)은, 제1 성막 롤(2)과, 이 제1 성막 롤(2)과 축심이 서로 평행해지도록 당해 제1 성막 롤(2)과 간격을 두고 설치되는 제2 성막 롤(2)로 이루어지고, 자장 생성부(8, 15)는, 성막 에어리어로서, 한 쌍의 성막 롤(2, 2) 사이의 대향 공간(3) 내에 제1 성막 에어리어(19)를 형성하는 동시에, 당해 대향 공간(3) 이외의 공간이며 성막 롤(2)의 표면에 인접하는 영역에 제2 성막 에어리어(20)를 형성하도록 배치된다.

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    KR-101538409-B1July 22, 2015(주)에스엔텍Plasma chemical vapor apparatus and Cathode unit for plasma chemical vapor apparatus